アクティブマトリクス方式液晶表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-147352
公開番号（公開出願番号）：特開平9-005780
出願日： 1995年06月14日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】画像表示上の輝度むら,ならびに液晶のシール性能の低下を招かずに、非表示液晶セル領域を狭くして基板の有効利用を図ることができるアクティブマトリクス方式液晶表示装置を提供することを目的とする。【構成】 5は表示液晶セル領域で、ソース信号配線13,ゲート信号配線14とそれに接続したソース電極15,ゲート電極16,TFTの半導体層17、ドレイン電極18とそれに接続した画素電極19で構成される。8は非表示液晶セル領域で、非表示ダミー画素20が形成されている。非表示ダミー画素20は、表示有効画素12と同様、ソース信号配線13およびゲート信号配線26が接続され、ダミーソース電極21,ダミーゲート電極22,ダミー半導体層23,ダミードレイン電極24,ダミー画素電極25を有し、ソース信号配線13に平行方向のサイズは表示有効画素12のそれの1/2に形成してある。

請求項（抜粋）：

主面に走査信号ラインと表示信号ラインをXYマトリックス状に配置し、この走査信号ラインと表示信号ラインにより区画された領域に薄膜トランジスタおよび画素電極を形成した第1の基板と、前記第1の基板の主面に重ねられてこの主面に対向する面に対向電極を形成した第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に封入した液晶とを備えたアクティブマトリクス方式液晶表示装置であって、前記第1の基板の最外周に並んだ画素電極を他の画素電極の形状より小さくするとともに最外周の走査信号ラインおよび表示信号ラインを内側に寄せることにより、非表示ダミー画素としたことを特徴とするアクティブマトリクス方式液晶表示装置。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/786

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , G02F 1/1343 , H01L 29/78 612 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平1-293317
特開平4-225317
液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-072566 出願人：セイコー電子工業株式会社

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