半導体装置のゲート保護装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菊谷公男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-197039
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021721
出願日： 1991年07月11日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の静電気による破壊を防止するゲート保護装置を面積を要することなく、入力数の多い集積回路やパワーICにも容易に適用できるものとする。【構成】ゲート保護用ツエナダイオードを、絶縁物上に形成されたN+ 領域121の中に多数のセル状に分割したP+ 領域122を配置して形成し、隣接するセルを互い違いにゲートパッド116とソース配線117の2層配線に接続した。単位面積あたりのPN接合の周辺長さが大きく取れパッキング密度が増加して面積を要しない。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成されたチップ上で、前記半導体素子のゲート配線系統にツエナダイオードを接続したゲート保護装置であって、前記ツエナダイオードは絶縁物上に形成された第一導電型の半導体薄膜中にセル状に分割した第二導電型の領域群が配置されて形成されていることを特徴とする半導体装置のゲート保護装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭58-025264
特開平2-110976
特開昭63-260160

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