特許
J-GLOBAL ID:200903094995402319

半導体装置、その製造方法及び樹脂封止物

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-098063
公開番号(公開出願番号):特開平7-283345
出願日: 1994年04月12日
公開日(公表日): 1995年10月27日
要約:
【要約】【目的】非常に安価、放熱が良好で、小型,薄型の樹脂封止によるセルタイプの半導体装置及び半導体装置を安価に容易に量産できる製造方法を提供すること。【構成】少なくとも一対の主電極を備える半導体素子をこれより大きな面積を有する単体の金属板の一方の主面上に搭載して、一方の主電極をろう付けすると共に、前記半導体素子の他方の主電極を金属ワイヤで前記金属板の同一面にボンディングし、前記半導体素子と前記金属ワイヤとを覆うように封止樹脂を前記金属板に形成し、しかる後に前記単体の金属板を、前記半導体素子の搭載された第1の部分と前記金属ワイヤのボンディングされた第2の部分とに分離し、前記金属板の前記第1の部分と第2の部分が前記封止樹脂により一体的に結合されたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項(抜粋):
第1の金属板の一方の主面上に搭載され、一方の主電極が前記金属板にろう付けされた半導体素子と、前記第1の金属板から分離されている第2の金属板と、前記半導体素子の他方の主電極と前記第2の金属板との間を接続する金属ワイヤと、前記半導体素子及び前記金属ワイヤを覆い、かつ前記第1の金属板と前記第2の金属板とを機械的に結合するようこれら金属板間に跨がって形成された封止樹脂と、からなることを特徴とする半導体装置。

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