特許
J-GLOBAL ID：200903095000144602
容量素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-264547
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120072
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】【目的】 高誘電体薄膜を容量絶縁膜として用いた容量素子において、貴金属電極と金属配線膜とのあいだの反応を抑制し信頼性の高い電気的接続を得る。【構成】 支持基板1の一表面上に形成された第1のPt電極3と(BaxSr1-x)TiO3膜4と第2のPt電極5とからなる容量素子の表面が絶縁保護膜6で覆われており、この絶縁保護膜6の表面に選択的に形成されたアルミニウムを主成分とする金属配線膜8と第1のPt電極3または第2のPt電極5とが間にTiW膜9を介在させて接続されている。
請求項（抜粋）：
支持基板と、前記支持基板の一表面上に形成された第1の貴金属電極と、前記第1の貴金属電極の表面上に形成された高誘電率を有する誘電体薄膜からなる容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜の表面上に前記第1の貴金属電極と接触することなく形成された第2の貴金属電極と、前記第1の貴金属電極、容量絶縁膜および第2の貴金属電極を覆いかつ前記第1の貴金属電極および第2の貴金属電極をそれぞれ独立に配線するためのコンタクト孔を備えた絶縁保護膜と、前記絶縁保護膜の表面上に選択的に形成されたアルミニウムを主成分とする金属配線膜とからなり、前記第1の貴金属電極または第2の貴金属電極と前記金属配線膜とがチタンまたはチタンを主成分とする1層または2層以上の金属膜を介して電気的に接続されている容量素子。
IPC (3件)：
H01G 4/06 102
, H01G 1/01
, H01L 27/04
