特許
J-GLOBAL ID：200903095002953478
半導体ウェーハの研磨方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小林 英一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-193938
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045300
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウェーハの研磨方法および装置を提供する。【構成】 半導体ウェーハ2をトップリング1と定盤3からなる研磨機1で研磨するさいに、コロイダルシリカを含有する研磨液8をポンプ9の下流に設置された電気集塵機10を介して供給することにより凝集コロイダルシリカを電気的に分離除去して研磨液中のコロイダルシリカの粒径分布を安定化することができ、ウェーハの表面粗度を均一にすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハを定盤上に張った研磨布面上で研磨するさい、コロイダルシリカを含有する研磨液を循環使用する半導体ウェーハの研磨方法において、該研磨液の配管途中に電気集塵機を設置し、該電気集塵機により凝集したコロイダルシリカを分離除去しながら該研磨液を循環使用することを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, B24B 37/00
, B24B 57/02
