特許

J-GLOBAL ID：200903095004826317

セラミツクス皮膜の形成方法

発明者： 花形 晴雄 ,  鈴木 吏 ,  柳田 和夫 ,  五十嵐 英郷
出願人/特許権者： デイツプソール株式会社
代理人 (1件)： 中村 稔 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平2-403241
公開番号（公開出願番号）：特開平5-086485
出願日： 1990年12月18日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：

【要約】〔目的〕 絶縁破壊電圧が高く、かつコイル等への巻き付け時の絶縁性にも優れたセラミックス皮膜を金属基体上に形成させる方法を提供する。〔構成〕 電解浴中でアルミニウム電線等の金属基体を陽極として通電し、火花放電により該金属基体上に2層のセラミックス皮膜を形成させる方法であって、ケイ酸塩及び/又は酸素酸塩を含有する第1の電解浴で火花放電により第1の皮膜を形成させた後、セラミックス微粉子を懸濁状態で含有する第2の電解浴で火花放電により第2の皮膜を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電解浴中で金属基体を陽極として通電し、火花放電により該金属基体上に2層のセラミックス皮膜を形成させる方法であって、ケイ酸塩及び/又は酸素酸塩を含有する第1の電解浴で火花放電により第1の皮膜を形成させた後、セラミックス微粉子を懸濁状態で含有する第2の電解浴で火花放電により第2の皮膜を形成することを特徴とする、金属基体表面に多層セラミックス皮膜を形成させる方法。