特許
J-GLOBAL ID:200903095007446221
半導体センサ
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安藤 淳二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-298123
公開番号(公開出願番号):特開2002-107246
出願日: 2000年09月29日
公開日(公表日): 2002年04月10日
要約:
【要約】【課題】 応力によりセンサエレメントの圧力検知特性が影響を受け難いようにする。【解決手段】 半導体センサチップ1を支持するとともにセンサエレメント端子7を導出したセンサエレメント6と、センサエレメント端子7を固定するセンサエレメント端子用固定部8a及び外部接続端子12を固定する外部接続端子用固定部8bを設けた基板8と、を備えた半導体センサにおいて、基板8は、センサエレメント端子用固定部8aと外部接続端子用固定部8bとの間に、外部接続端子12を介して伝達される接続端子応力を緩和する接続端子応力緩和部8dを設けた構成にしている。
請求項(抜粋):
半導体センサチップを支持するとともにセンサエレメント端子を導出したセンサエレメントと、センサエレメント端子を固定するセンサエレメント端子用固定部及び外部接続端子を固定する外部接続端子用固定部を設けた基板と、を備えた半導体センサにおいて、前記基板は、前記センサエレメント端子用固定部と前記外部接続端子用固定部との間に、前記外部接続端子を介して伝達される接続端子応力を緩和する接続端子応力緩和部を設けたことを特徴とする半導体センサ。
IPC (4件):
G01L 9/04 101
, G01L 19/14
, G01P 15/08
, H01L 29/84
FI (4件):
G01L 9/04 101
, G01L 19/14
, H01L 29/84 B
, G01P 15/08 P
Fターム (15件):
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE14
, 2F055FF23
, 2F055GG12
, 4M112AA01
, 4M112BA01
, 4M112CA11
, 4M112CA13
, 4M112EA03
, 4M112FA09
, 4M112GA01
, 4M112GA03
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