単結晶SiCおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江孝一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-043660
公開番号（公開出願番号）：特開平11-236299
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】不純物の混在およびマイクロパイプ欠陥等の結晶欠陥を生じることなく、高品質で、かつ、高膜厚の単結晶SiCを生産性よく製造することができるようにする。【解決手段】 α-SiC単結晶基板1の表面に、1200〜1500°Cの温度範囲の熱化学的蒸着法によりβ-SiC(またはα-SiC)多結晶膜2を、その膜厚が200μm〜1mmの範囲となるように成膜する成膜工程と、その成膜工程で得られた複合体M1をArおよびSiCの飽和蒸気圧の雰囲気下で、かつ2000〜2400°Cの温度範囲で熱処理する熱処理工程とを複数回繰り返すことにより、β-SiC多結晶膜2をα-SiC単結晶に相変態させてα-SiC単結晶基板1の結晶軸と同方位に配向された高膜厚の単結晶SiCを一体に製造する。

請求項（抜粋）：

α-SiC単結晶基板の表面に対する熱化学的蒸着法によるβ-SiCもしくはα-SiC多結晶膜の成膜と、その成膜された複合体の熱処理による上記β-SiCもしくはα-SiC多結晶膜のα-SiC単結晶への相変態とを繰り返すことにより、上記α-SiC単結晶基板の結晶軸と同方位に配向された単一の単結晶を一体成長させていることを特徴とする単結晶SiC。

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