特許

J-GLOBAL ID：200903095009379270

プリント配線基板などのエッチング方法

発明者： 田中 博文 ,  森田 守次 ,  小池 利治 ,  桑原 直樹 ,  中原 重樹
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-273343
公開番号（公開出願番号）：特開平10-126039
出願日： 1996年10月16日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【目的】 プリント配線基板まはたはICメタルパッケージ用基体において、銅板等の防錆処理に用いられる、Cr金属層、Cr合金層、Cr化合物層を非アルカリ性水溶液下で微細パターニングを行う。【解決手段】 塩酸濃度1 〜12N 、温度35〜90°Cの主として塩酸からなる電解液中に、Cr金属層、Cr合金層、Cr化合物層などのCr層が形成された基体を浸した後、銅、銅合金、またはAl、Al合金を当該Cr層に電気的に接触させ溶解除去する。【効果】 Crを非アルカリ性水溶液下でエッチングでき、高抵抗値を示すプリント配線基板及びICメタルパッケージを得る。

請求項（抜粋）：

クロム金属層、クロム合金層及び/又はクロム化合物層を含み、金属箔層及び/又は金属板層と絶縁性基材層とから形成されたプリント基板またはICメタルパッケージ用基体において、当該基体を1 〜12規定濃度の塩酸を主体としてなる電解液中に、35〜90°Cの温度で浸し、当該クロム金属層、クロム合金層及び/又はクロム化合物層に、金属または金属合金を電気的に接触させることにより、該クロム金属、クロム合金及び/又はクロム化合物を溶解させ除去することを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：

H05K 3/06 ,  C23F 1/26

FI (3件)：

H05K 3/06 M ,  H05K 3/06 D ,  C23F 1/26

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-226587
  
• 特開昭50-062827
  
• 特開平3-226587
  
• 特開昭50-062827