特許
J-GLOBAL ID：200903095009709424
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118863
公開番号（公開出願番号）：特開平8-311169
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の封止樹脂とインサートとの間の剥離及びクラックの発生を抑制し、耐湿性に優れた封止用樹脂組成物を提供すること。【構成】 特定のビフェニル型エポキシ樹脂(A成分)及びテルペン型フェノール樹脂もしくはアラルキル型フェノール樹脂もしくはクレゾールノボラック型フェノール樹脂(B成分)、硬化促進剤(C成分)、無機質充填材(D成分)を必須成分とし、前記無機質充填材を樹脂組成物に対して、60〜95vol%含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
請求項（抜粋）：
一般式(I)で示されるビフェニル型エポキシ樹脂(A成分)、下記一般式(II)で示される水酸基当量130〜180(g/eq)軟化点70〜130(°C)のテルペン骨格を有するフェノール樹脂及び一般式(III) で示されるアラルキル型フェノール樹脂及び一般式(IV)で示されるクレゾールノボラック型フェノール樹脂から選ばれる2種以上の硬化剤(B成分)、下記一般式(V)で示される硬化促進剤(C成分)、無機質充填材(D成分)を必須成分とし、前記無機質充填材を樹脂組成物に対して60〜95vol%含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】(式中、R1 ,R2 ,R3 ,R4 は、H基、CH3 基もしくはC(CH3 )3 基を示し、nは0〜3の整数を示す。)【化2】(式中、mは0〜5の整数を示す。)【化3】(式中、lは0〜30の整数を示す。)【化4】(式中、kは0以上の整数を示す。)【化5】
IPC (6件)：
C08G 59/62 NJS
, C08G 59/40 NJL
, C08K 3/00
, C08L 63/00 NKT
, H01L 23/29
, H01L 23/31
C08G 59/62 NJS
, C08G 59/40 NJL
, C08K 3/00
, C08L 63/00 NKT
, H01L 23/30 R
