特許

J-GLOBAL ID：200903095011694442

半導体製造用サセプタ及びその製造方法

発明者： 三上 一彦 ,  会田 比呂史 ,  北澤 謙治
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-299369
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153821
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【構成】金属またはセラミックからなる基体2上に窒化アルミニウム膜3を気相法などによりコーティングした後に、窒化アルミニウム膜3を加工し溝4を形成して半導体製造用サセプタ1を得る。【効果】溝の加工精度が高く、さらに表面平坦性に優れることからシリコンウエハの吸着力が強くなるとともにより安価に高品質のものが得られる。

請求項（抜粋）：

金属またはセラミックからなる基体上に、溝加工が施された窒化アルミニウム膜が形成されてなる半導体製造用サセプタ。

IPC (3件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065