特許

J-GLOBAL ID：200903095019245523

イオン注入装置

発明者： 佐々木 秀世
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立北海セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-299288
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167398
出願日： 1994年12月02日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体基板面内の部分的なチャージアップ現象に伴って発生するゲート耐圧の低下を防止する。【構成】プラズマフラドガン12は、ファラデーチャンバ21の上部に設けられており、左右に移動可能となっている。その移動機構は、電気的な動力手段、例えば、モータ24を回転させることにより、モータの回転軸に取付けられたネジ状のギア22が回転して、ギア22に接続されたプラズマフラドガン12が左右に移動する機構を用いてる。この場合ギア22は、潤滑剤や異物がファラデーチャンバ21内へ飛散するのを防止し、なおかつプラズマフラドガン12が左右に移動可能なように、蛇腹状のカバー23で覆う。モータ24の回転制御は、イオンビームのスキャン信号25aあるいはそれと同期させたモータ制御信号25bにより行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板にイオンビームによって不純物イオンを衝突させることにより、半導体基板に所望の導電型領域を形成するための不純物イオン供給手段と、前記イオンビームの走査を制御するスキャン信号を発生するスキャン部、及び不純物イオンを電気的に中和させるための電子を発生させるための中和電子供給手段とを具備してなるイオン注入装置であって、前記中和電子供給手段は、前記イオンビームの走査方向へ移動可能であることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 F ,  H01L 21/265 N