特許

J-GLOBAL ID：200903095020916776

半導体装置

発明者： 長嶋 隆 ,  原田 秀樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-257941
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112191
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の導電層の間の層間絶縁膜或いは導電層の表面の平坦化膜の改良に関し、テンシルストレスが大きくならず、配線層にダメージを与えない層間絶縁膜或いは平坦化膜を具備する半導体装置の提供を目的とする。【構成】 導電層の間の層間絶縁膜或いは導電層の表面の平坦化膜として、酸素含有率が30パーセント以上の雰囲気中で焼成した、骨格中にシラザン結合を有するシリコン化合物材料からなる、コンプレッシブな膜ストレスを有する絶縁膜を具備するように構成する。

請求項（抜粋）：

導電層の間の層間絶縁膜或いは導電層の表面の平坦化膜として、酸素含有率が30パーセント以上の雰囲気中で焼成した、骨格中にシラザン結合を有するシリコン化合物材料からなる、コンプレッシブな膜ストレスを有する絶縁膜を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90