特許

J-GLOBAL ID：200903095026172469

半導体レーザ装置の実装方法

発明者： 持田 篤一 ,  井ノ上 裕人 ,  中尾 克 ,  岩田 進裕 ,  高森 晃 ,  足立 秀人 ,  田村 雅敏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008483
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217480
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子の温度上昇及び残留応力によるレーザ特性の劣化、或いは半導体レーザ素子の破損を抑制する半導体レーザ装置の実装方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の実装方法は、半導体レーザ素子をサブマウントに加熱圧接した後、接合部材の溶融温度以上まで再度加熱するものである。

請求項（抜粋）：

発光部を備えた半導体レーザ素子をコレットにて保持し、接合部材を用いてサブマウントに前記半導体レーザ素子を加熱接合する半導体レーザ装置の実装方法であって、加熱用のテーブル上に前記サブマウントを設置し、前記接合部材の融点以上まで前記テーブルにて前記サブマウントを加熱し、前記コレットにより保持されている前記半導体レーザ素子を前記サブマウントの搭載位置へ移動して前記コレットにより前記半導体レーザ素子を前記サブマウントに圧接し、前記接合部材が完全に凝固してから前記半導体レーザ素子を前記コレットから開放した後、前記テーブルにて前記サブマウントを前記接合部材の溶融温度以上まで再度加熱することを特徴とする半導体レーザ装置の実装方法。

IPC (3件)：

H01S 5/022 ,  G11B 7/22 ,  H01L 21/52

FI (3件)：

H01S 5/022 ,  G11B 7/22 ,  H01L 21/52 C

Fターム (16件)：

5D119AA33 ,  5D119AA38 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA34 ,  5D119NA04 ,  5F047AA19 ,  5F047CA08 ,  5F047FA08 ,  5F047FA51 ,  5F047FA58 ,  5F073BA01 ,  5F073BA06 ,  5F073BA07 ,  5F073EA28 ,  5F073FA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭58-108784
  
• 自動半田付け装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-257414   出願人：エイテックテクトロン株式会社
• 特開昭51-001069
  
• 特開昭60-177636