新規なチップ相互配線およびパッケージング堆積方法および構造体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-524131
公開番号（公開出願番号）：特表2003-525523
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2003年08月26日
要約：

【要約】本発明は、より効率的で時間を節約できるし方で基板のキャビティに導電材料を堆積する方法を提供することにより、高性能のチップ相互配線およびパッケージを製造する方法に関する。これは、基板の上面からシード層の一部を選択的に除去した後、基板のキャビティ(ここで、キャビティ内にはシード層の一部が残っている)に導電材料を堆積することにより達成される。他の方法は、基板の上面に酸化物層を形成し、導電材料を、基板の上面に形成することなしに、キャビティ内に堆積できるようにする。本発明は多層相互接続を形成する方法および対応する構造も開示している。

請求項（抜粋）：

その上に形成されたバリアー層およびシード層を有する基板のキャビティに導電材料を堆積する方法であって、パッド材料を用いて基板の上面からシード層の所定の一部を除去し、一方で基板のキャビティからシード層の他の一部が除去されるのを防止する工程と;シード層の所定の一部を除去した後に基板上面のバリアー層の一部を露出させる工程と;基板のキャビティ内のシード層上に導電材料を堆積する工程とを有する方法。

IPC (8件)：

H01L 21/768 , C23C 28/00 , C25D 3/02 , C25D 5/10 , C25D 7/12 , H01L 21/288 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622

FI (8件)：

C23C 28/00 A , C25D 3/02 , C25D 5/10 , C25D 7/12 , H01L 21/288 E , H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 T , H01L 21/90 A

Fターム (70件)：

4K023AA19 , 4K023BA06 , 4K023BA12 , 4K023BA21 , 4K023BA29 , 4K024AA01 , 4K024AA02 , 4K024AA03 , 4K024AA04 , 4K024AA05 , 4K024AA06 , 4K024AA07 , 4K024AA08 , 4K024AA09 , 4K024AA10 , 4K024AA14 , 4K024AA22 , 4K024AB01 , 4K024AB02 , 4K024AB06 , 4K024AB08 , 4K024BA11 , 4K024BB11 , 4K024BC01 , 4K024CA06 , 4K024DA05 , 4K024DA07 , 4K024EA06 , 4K024FA05 , 4K024GA16 , 4K044AA11 , 4K044AB02 , 4K044BA01 , 4K044BA02 , 4K044BA06 , 4K044BA08 , 4K044BA10 , 4K044BB03 , 4K044BC14 , 4K044CA14 , 4K044CA15 , 4K044CA18 , 4M104BB04 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104FF16 , 4M104FF22 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH21 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033JJ21 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP07 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ31 , 5F033QQ48 , 5F033WW00 , 5F033WW02 , 5F033WW05 , 5F033WW08

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