特許
J-GLOBAL ID：200903095033700152
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-151303
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069953
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は2つ以上の異種半導体基体の直接接着に関し、直接接着界面に垂直な一断面において、互いの結晶構造が異なるように、もしくは互いの格子配列が等価でないようにこれらを配置することにより、従来方法、特に結晶成長によっては作製できなかった新規の層構造を作製する方法を提供することにある。【構成】 半導体基板A上にこれと異種材料より成る半導体素子Bを直接接着した半導体装置であって、この2つの半導体基体の接着界面に垂直な一断面において、この2つの半導体基体の結晶構造が相互に異なるように、もしくは格子配列が相互に等価でないように配置したもの。【効果】 本発明はいかなる組合せの半導体基体をいかなる結晶面方位関係で直接接着する場合にも適用が可能で、更に3種類以上の基体の直接接着も可能である。従って、素子の設計の自由度が飛躍的に高められ、集積化素子の性能の大幅な向上に寄与する。
請求項（抜粋）：
第1の格子定数を有する第1の半導体基体上に、第1の格子定数と異なる第2の格子定数を有する第2の半導体基体を直接接着して成る半導体装置において、半導体装置の接着界面に垂直な一断面における第1の半導体基体の結晶構造と第2の半導体基体の結晶構造が異なっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 33/00
, H01S 3/18
