特許

J-GLOBAL ID：200903095036352147

三層レジスト法によるパターン形成方法

発明者： 坂田 美和 ,  伊東 敏雄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062622
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267158
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 簡便な三層レジスト法によるパターン形成方法を提供する。【構成】 シリコン基板11上に、下層レジスト層13を形成する。この下層13上に、アルコキシ基を有するポリ(シロキサン)誘導体例えばポリ(ジ-t-ブトキシシロキサン)と加熱によって酸を発生する酸発生剤例えばビス(4-t-ブチルフェニル)ヘキサフロロアンチモネートとを含有する樹脂組成物をスピンコートしてから加熱処理して中間層としてのSiO2 膜15を形成する。この中間層15上に、上層レジスト層17を形成する。この層17に、電子線による露光、さらに現像を行なってパターニングをし、次に中間層に対してCHF3 -RIEを行なった後、下層に対してO2 -RIEを行なう。

請求項（抜粋）：

三層レジスト法によるパターン形成方法であって、中間層形成材として、アルコキシ基を有するポリ(シロキサン)誘導体と、加熱により酸を発生する酸発生剤とを含有する組成物を用い、及び、下層上に前記組成物の層を形成する工程と、該組成物の層に対して熱処理をする工程と、該熱処理済みの組成物の層上に上層を形成する工程とを含むことを特徴とする三層レジスト法によるパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/26 511

FI (2件)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 G