特許
J-GLOBAL ID：200903095038086738

発光装置および電子機器

発明者：
小林 英和

小林 英和 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-150209
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251542
出願日： 2008年06月09日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】トップエミッション型の発光装置において、発光スペクトルの狭帯域化または出射光量の増大を達成する。【解決手段】基板11と、基板11上に形成され、光を反射する光反射層13と、光反射層13上に形成され、光を透過させる透明層1と、透明層1上に形成され、光を透過させる透明電極14と、透明電極14上に形成され、発光する発光層15と、発光層15上に形成され、発光層15からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する半反射電極16とを備える。透明層1は消光係数が透明電極14よりも小さい材料から形成されている。半反射電極16は仕事関数が4エレクトロンボルト以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成され、光を反射する反射層と、 前記反射層上に形成され、光を透過させる透明層と、 前記透明層上に形成され、光を透過させる第1電極と、 前記第1電極上に形成され、発光する発光層と、 前記発光層上に形成され、前記発光層からの光の一部を透過させ、当該光の他の一部を反射する第2電極とを備え、 前記透明層は消光係数が前記第1電極よりも小さい材料から形成されており、 前記第2電極は仕事関数が4エレクトロンボルト以下である、 ことを特徴とする発光装置。
IPC (3件)：
H05B 33/24 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14
FI (3件)：
H05B33/24 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z
Fターム (14件)：
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107BB04 ,  3K107BB08 ,  3K107CC05 ,  3K107CC07 ,  3K107DD03 ,  3K107DD10 ,  3K107EE33 ,  3K107FF00 ,  3K107FF06 ,  3K107FF15 ,  3K107FF19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第3274527号公報
審査官引用 (3件)

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