特許
J-GLOBAL ID：200903095038760315
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-062034
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245296
出願日： 1994年03月07日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 処理面近傍に高密度な均一プラズマを生起できるプラズマエッチング装置を提供する。【構成】 本発明によれば、処理容器2の上方に複数の永久磁石25が円環状に配置される。その際、磁石は処理面よりも大きく処理容器の外面よりも小さい円周上において、各磁石の「W」極がその円の内方を向くように配置されるので、電子のドリフトが内側に生じ、被処理体の処理面近傍に高密度で均一なプラズマが生起されスループットが向上する。また内壁への損傷が回避されるので金属汚染や発塵が減少し歩留まりが向上する。また補助磁石を設置することにより、磁場漏洩をも防止できる。
請求項（抜粋）：
処理容器の外側に置かれた磁石の磁場により制御されたプラズマにより処理容器内の載置台に載置された被処理体をプラズマ処理するためのプラズマ処理装置において、前記磁石が、前記被処理体の処理面を前記処理容器の垂直方向上方に対して正投影し、任意の水平面で切った領域を少なくとも内包する円の外周上に配された複数の磁石群から構成し、それらの各磁石を隣接する端部の極性同士が反対極性になるように、かつ各磁石の「W」側が前記円の中心側を向くように配置したことを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/205
