特許
J-GLOBAL ID：200903095039503464
コートされた血管内器具の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-537102
公開番号（公開出願番号）：特表2009-513206
出願日： 2006年10月26日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
血管内器具を被覆する方法であって、筒状本体の表面を、不活性で生体適合性を有するチタンを基礎とした材料の少なくとも一つの薄層により被覆することを有する。この方法は、順に、下記の工程により行われる。つまり:第1チタン層(21)の堆積である。また、基板に高いイオン電流を伝送することによる上記の第一チタン層(21)の第1の窒素処理を行って(閉磁場非平衡マグネトロンスパッター方式のイオンメッキ)、この第1チタン層(21)の少なくとも一部の、チタン窒化セラミックコーティング(210)の第1層への変換を達成することである。また、チタン窒化セラミックコーティング(210)の第1層の上に、第二チタン層(22)を堆積することである。また、基板に高いイオン電流を伝送することによる上記の第2チタン層(22)の第2の窒素処理を行って(閉磁場非平衡マグネトロンスパッター方式のイオンメッキ)、この第2チタン層(22)の少なくとも一部の、チタン窒化セラミックコーティング(220)の第2層への変換を達成することである。
請求項（抜粋）：
コートされた血管内器具の製造方法であって:
実質的に円筒形で管状の本体(2)を調製する工程と;
前記の管状の本体の表面を、薄く不活性で生体適合性を有する窒化チタンを基礎とした層でコートする工程と;
を有し、
前記層は:
I.第1のチタン(Ti)層(21)の堆積と;
II.前記第1チタン層(21)の少なくとも一部を窒化チタン(TiN)のセラミックコーティング(210)の第1層への変換を達成することを目的とした、基板上に高いイオン電流を伝送することによる前記の第1のチタン(Ti)層(21)の第1の窒素(N)処理(閉磁場非平衡マグネトロンスパッター方式のイオンメッキ)と;
III.前記の窒化チタン(TiN)のセラミックコーティング(210)の第1層上への第2のチタン(Ti)層(22)の堆積と;
IV.前記第2のチタン(Ti)層(22)の少なくとも一部を窒化チタン(TiN)のセラミックコーティング(220)の第2層への変換を達成することを目的とした、基板上に高いイオン電流を伝送することによる前記の第2のチタン(Ti)層(22)の第2の窒素(N)処理(閉磁場非平衡マグネトロンスパッター方式のイオンメッキ)と;
の連続するステップに従って製造されるという事実を特徴とするものであることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (32件)：
4C097AA15
, 4C097BB01
, 4C097CC02
, 4C097CC03
, 4C097CC05
, 4C097DD01
, 4C097DD06
, 4C097DD09
, 4C097DD10
, 4C167AA44
, 4C167AA46
, 4C167AA49
, 4C167AA50
, 4C167AA51
, 4C167AA52
, 4C167BB05
, 4C167BB06
, 4C167BB12
, 4C167BB13
, 4C167BB15
, 4C167BB17
, 4C167BB26
, 4C167CC04
, 4C167CC09
, 4C167CC19
, 4C167CC29
, 4C167GG01
, 4C167GG22
, 4C167GG23
, 4C167GG24
, 4C167GG26
, 4C167GG42
