半導体メモリ用のキャパシタ用電極及び電極前駆材料

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：的場基憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-204693
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025908
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】触媒性金属の触媒活性を抑制したキャパシタ用電極、特に酸化物誘電体と積層構造を構成する白金族電極の触媒活性を抑制し、酸化物誘電体を還元劣化させないキャパシタ用電極、その前駆材料及びキャパシタを提供すること。【解決手段】半導体メモリ用のキャパシタ用電極である。触媒活性を有する触媒性金属と、この触媒性金属の触媒活性を抑制する触媒毒を含有する。電極前駆材料は、上述のようなキャパシタ用電極を形成するのに用いられ、触媒性金属と触媒毒とを、組合せ形態又は独立形態で含む。半導体メモリ用キャパシタは、上述のようなキャパシタ用電極を用いて成り、酸化物誘電体をキャパシタ用電極で挟んで構成される。

請求項（抜粋）：

触媒活性を有する触媒性金属と、この触媒性金属の触媒活性を抑制する触媒毒を含有して成ることを特徴とする半導体メモリ用のキャパシタ用電極。

IPC (7件)：

H01L 21/203 , C23C 14/14 , C23C 14/34 , C23C 16/18 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (6件)：

H01L 21/203 S , C23C 14/14 D , C23C 14/34 A , C23C 16/18 , H01L 27/10 444 C , H01L 27/10 651

Fターム (53件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA02 , 4K029BA04 , 4K029BA08 , 4K029BA09 , 4K029BA10 , 4K029BA11 , 4K029BA12 , 4K029BA13 , 4K029BA15 , 4K029BA18 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 4K029DC15 , 4K029DC16 , 4K030AA11 , 4K030BA07 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA12 , 4K030BA14 , 4K030BA16 , 4K030BA19 , 4K030BA20 , 4K030BA21 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F083AD11 , 5F083FR01 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103BB27 , 5F103DD28 , 5F103DD30 , 5F103LL14 , 5F103PP11 , 5F103PP15 , 5F103RR05 , 5F103RR10

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