特許
J-GLOBAL ID:200903095050817160

半導体検出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 村上 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-024742
公開番号(公開出願番号):特開平5-188082
出願日: 1992年01月14日
公開日(公表日): 1993年07月27日
要約:
【要約】【目的】 平面上の占有スペースを小さくし、半導体センサパッケージとハイブリッドIC部の雰囲気温度差をなくし、高精度な特性を維持する。また、ハイブリッドICの回路基板への組立てを容易にする。【構成】 回路基板10上の半導体センサパッケージ11の側周を囲って案内体24を回路基板10に係止手段で固定し、配線板下面に装着したIC部22をセンサパッケージ上方に近接させたハイブリッドIC20のリード23を、案内体24の案内穴24dに入口の傾斜導入部24eを経て通し、回路基板10のスルーホール10bに挿入している。
請求項(抜粋):
回路基板、この回路基板上に装着された半導体センサパッケージ、合成樹脂成形品からなり、上記半導体センサパッケージの側周を囲い、両側の上方に突出する案内突起部に多数の案内穴が設けられ、この案内穴には上部側に入口側を広くした傾斜導入部が形成されており、上記回路基板に係止手段により固定された案内体、及び電子部品が装着された配線板と、この配線板の下面に取付けられ、上記半導体センサパッケージ上方に近接するIC部と、上記配線板の両端からそれぞれ下方に出された多数のリードとからなるハイブリッドICを備え、このハイブリッドICの各リードは先端部が、上記案内体の対応する傾斜導入部に導かれ案内穴に通され、上記回路基板の各スルーホールに挿入されたことを特徴とする半導体検出装置。

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