特許

J-GLOBAL ID：200903095056764409

高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法

発明者： 太宰 尚宏 ,  森 貴敬 ,  清水 宏明 ,  大下 京子 ,  平原 孔明
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-229445
公開番号（公開出願番号）：特開2009-062422
出願日： 2007年09月04日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

【課題】新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】一般式(a0-1)[R1は酸解離性溶解抑制基である。]で表される構成単位(a0)と、酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導され、かつ、前記構成単位(a0)に該当しない構成単位(a1)とを有する高分子化合物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)と、 酸解離性溶解抑制基を含むアクリル酸エステルから誘導され、かつ、前記構成単位(a0)に該当しない構成単位(a1)とを有する高分子化合物。

IPC (3件)：

C08F 220/26 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

C08F220/26 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (33件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF03 ,  2H025BG00 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA02P ,  4J100BA03S ,  4J100BA11Q ,  4J100BA15P ,  4J100BC03P ,  4J100BC04P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC09S ,  4J100BC54Q ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-201310   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-297945   出願人：東京応化工業株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-234584   出願人：JSR株式会社
• ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-214913   出願人：富士フイルム株式会社
• 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及び(メタ)アクリル酸誘導体とその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-050664   出願人：住友化学株式会社