特許
J-GLOBAL ID:200903095061124671

送信電力増幅装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 武田 元敏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-221235
公開番号(公開出願番号):特開平5-048474
出願日: 1991年08月07日
公開日(公表日): 1993年02月26日
要約:
【要約】【目的】 増幅素子にGaAsFETを用いる送信電力増幅回路において、増幅周波数特性を平坦化する。【構成】 増幅する各、周波数チャンネルにおいて最良の送信電力効率とすることができる、GaAsFETのゲート電圧値をCPU1に記憶させておき、そのCPU1が出力する送信周波数に対応させて、前記の記憶したゲート電圧値に応じて出力されるD/A変換器8からなる直流電圧発生部の出力電圧と、GaAsFETのゲートに印加する固定電圧発生部4との電圧を加算して、上記、GaAsFETのゲートに印加する。
請求項(抜粋):
送信電力増幅装置において、その電力増幅器を構成するGaAsFETのゲート電圧と送信電力効率との関係を、各送信チャンネルについて記憶しておき、各送信チャンネルで最適な送信電力効率を得るゲート電圧情報を出力するCPUと、その出力される電圧情報により直流電圧を発生する直流電圧発生部及び上記GaAsFETの固定電圧発生部が発生する電圧とを加算して、上記、電力増幅器を構成するGaAsFETのゲートに入力することを特徴とする送信電力増幅装置。
IPC (2件):
H04B 1/04 ,  H04B 1/40
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開平1-098304
  • 特開平3-035620

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