特許
J-GLOBAL ID：200903095063977175
処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296288
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147247
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 高耐電気絶縁性、高耐腐食性、高真空性(高真空脱ガス特性)を持つ非常に安定した特性を有する被膜を施し、真空処理容器内にパーティクルフリー、コンタミネーションフリーな非常にクリーンな環境を得て信頼性の高い能率的な処理の実現に有効となる処理装置を提供することにある。【構成】 半導体ウエハWのプラズマエッチング処理装置の真空処理容器1内面と、支持台2の多重構造部材3,4,5,6の各々の外周面及び相互の接合面と、静電チャック8の被処理体吸着面を除いた周面と、処理ガスを導入する上部電極42内面と、排気管45内面と、被処理体搬入出口47及びゲートバルブ48内面とに、高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂皮膜55を設けたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
真空処理容器内に被処理体を収納保持すると共に、処理ガスを導入して該被処理体を処理する処理装置において、前記処理容器の内面に、高分子ポリベンゾイミダゾール樹脂被膜を設けたことを特徴とする処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
