特許

J-GLOBAL ID：200903095065441779

シリコン単結晶基板のエッチング加工方法

発明者： 片倉 孝浩 ,  鴨井 和美
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 木村 勝彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341312
公開番号（公開出願番号）：特開平7-166374
出願日： 1993年12月09日
公開日（公表日）： 1995年06月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 シリコン単結晶基板に微細な通孔を、その位置、形状を管理して形成。【構成】 結晶方位(110)を有する一定厚のシリコン単結晶基板に、通孔を形成すべきパターンに一致して表面、及び裏面に鏡像関係を持つ二酸化珪素からなる異方性エッチング保護膜のパターンを形成し、表裏両面から異方性エッチングを実行して通孔を形成する方法であって、比較的大きな第1の通孔5に接続する幅の狭い第2の通孔7を形成する箇所を、第1、及び第2の通孔の一方の壁面5a、7aを同一平面上として形成するとともに、他方に壁面7bに一致して剣状のエッチング保護パターン81、82、83を形成して異方性エッチングを実行する、シリコン単結晶基板のエッチング加工方法。

請求項（抜粋）：

結晶方位(110)を有する一定厚のシリコン単結晶基板に、通孔を形成すべきパターンに一致して表面、及び裏面に鏡像関係を持つ二酸化珪素からなる異方性エッチング保護膜のパターンを形成し、表裏両面から異方性エッチングを実行して通孔を形成する方法において、比較的大きな第1の通孔に接続する幅の狭い前記第2の通孔を形成する箇所を、前記第1、及び第2の通孔を規定するエッチング保護パターンを、同一線として形成するとともに、他方の壁面に略一致させて前記第2の通孔に平行に剣状のエッチング保護パターンを形成して異方性エッチングを実行することを特徴とするシリコン単結晶基板のエッチング加工方法。

IPC (3件)：

C23F 1/02 ,  B41J 2/16 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

B41J 3/04 103 H ,  H01L 21/306 B