特許
J-GLOBAL ID：200903095079568828
薄膜トランジスタの構造及び窒化シリコン膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318164
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045605
出願日： 1991年12月02日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 液晶フラットディスプレイの駆動デバイス等に使われる薄膜トランジスタ素子において、ゲート絶縁膜である窒化シリコン膜と非晶質半導体膜との界面を平坦化して高移動度化を実現する。【構成】 プラズマCVDで窒素のモノシランに対する流量比を4倍以下、水素のモノシランに対する流量比13倍以上で成膜し、窒化シリコン膜12の非晶質半導体膜13との界面側の表面凹凸が水平方向周期70nm以上あるいは垂直方向の凹部・凸部の差が3nm以下の平坦性を持たせる。この薄膜トランジスタは0.6cm2 /V・sec以上の高移動度を有する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上にゲート電極が形成され、前記ゲート電極をおおうようにゲート絶縁膜である窒化シリコン膜と島状非晶質半導体膜が形成されており、前記島状非晶質半導体膜とドレイン電極及びソース電極と接する部分にp型あるいはn型化したドーピング層が形成されているボトムゲート型薄膜トランジスタ素子において、ゲート絶縁膜である窒化シリコン膜の非晶質半導体膜との界面側の表面凹凸が水平方向周期70nm以上の平坦性を持つことを特徴とする薄膜トランジスタ素子。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/205
, H01L 21/318
