特許

J-GLOBAL ID：200903095080377440

イオン注入方法および素子分離領域の形成方法

発明者： 荒井 千広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-087796
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273186
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、高ドーズ量でのイオン注入後のマスク除去によるシリコン基板汚染の防止、イオン注入時起因の結晶欠陥を低減してトランジスタ耐圧の確保、信頼性の向上を図る。【構成】 シリコン基板11上に形成した酸化シリコン膜12をパターニングしてマスク13を形成し、それを用いてイオン注入を行うことでシリコン基板11に不純物14を導入する。また図示はしないが、シリコン基板の上層を除去した部分に酸化シリコン膜を形成し、それを通してシリコン基板に不純物を導入するとで素子分離拡散層を形成する。またシリコン基板上に形成した酸化防止膜と酸化シリコン膜とをマスクに用いたイオン注入法によって、酸化シリコン膜のみの部分から不純物を導入してシリコン基板に低濃度拡散層を形成し、酸化防止膜のみの部分からシリコン基板に不純物を導入して高濃度拡散層を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に酸化シリコン膜を形成した後、リソグラフィー技術とエッチングとによって該酸化シリコン膜をパターニングしてマスクを形成する第1工程と、前記マスクを用いたイオン注入法によって前記シリコン基板に不純物を導入する第2工程とからなることを特徴とするイオン注入方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 21/76 R ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/265 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-010262
  
• 特開昭61-166127
  
• 特開昭63-312632