特許

J-GLOBAL ID：200903095080428193

半導体製造装置及びその排気配管及びメンテナンス方法

発明者： 高山 英之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315860
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124127
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 排気配管の内壁への反応生成物の付着、堆積を抑え、かつ容易で効率的な排気配管のメンテナンス作業が実現される半導体製造装置及びその排気配管及びメンテナンス方法を提供する。【解決手段】 半導体製造装置本体100は、各種ガスが投入される製造チャンバ11を含む。ガス排気配管12は、チャンバ11内における反応後の排ガスを流し、最終的にスクラバーや除害装置等の排ガス処理機構13に導かれる。ガス排気配管12の所定距離において、配管外周辺が真空化される外周管14が設けられている。外周管14の所定部には、バキューム口141が設けられ真空ポンプに繋がっている。真空ポンプは半導体製造のラインで配備されている真空引き系を共有してもよい。これにより、内管のガス排気配管12は常に保温される。

請求項（抜粋）：

半導体製造に関し、製造チャンバ内での化学気相反応に伴なって排出される排ガスを導くガス排気配管と、少なくとも前記ガス排気配管の所定距離において設けられ配管外周辺が真空化される外周管と、を具備したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 E

Fターム (8件)：

4K030CA04 ,  4K030EA12 ,  4K030FA10 ,  5F045BB08 ,  5F045EB05 ,  5F045EG01 ,  5F045EG03 ,  5F045EG10