特許
J-GLOBAL ID:200903095080725333

プラズマ処理方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 間宮 武雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-174446
公開番号(公開出願番号):特開平9-008011
出願日: 1995年06月15日
公開日(公表日): 1997年01月10日
要約:
【要約】【目的】 基板の裏面側の汚染を防止し、基板面におけるプラズマダメージ分布や温度分布のばらつきを無くする。【構成】 処理チャンバ10の内部に配置された基板Wを熱板26によって予備加熱する際に、基板Wの裏面と熱板26の上面とを近接させて基板支持部材40によって基板Wを点接触又は線接触により支持する。予備加熱後のアッシング処理の際に、基板Wと熱板26とを離間させて基板支持部材40によって基板Wを点接触又は線接触により支持する。
請求項(抜粋):
処理チャンバ内に収納された基板を加熱手段によって加熱した後、プラズマを発生させて基板に所定の処理を行なうプラズマ処理方法であって、基板と前記加熱手段とを近接させた状態で基板支持手段によって基板を点接触又は線接触で支持しつつ、基板を前記加熱手段によって加熱し、基板と前記加熱手段とを離間させた状態で前記基板支持手段によって基板を点接触又は線接触で支持しつつ、プラズマを発生させて基板に所定の処理を行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (5件):
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 H

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