特許

J-GLOBAL ID：200903095084165871

非単結晶半導体薄膜の形成方法および形成装置

発明者： 中島 充雄 ,  石塚 芳樹 ,  川久 慶人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209437
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055963
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 ガラス基板を使用することができる程度の温度で高抵抗半導体層を形成することができるとともに、表示の劣化のない良好な表示特性をもつ液晶表示素子を得ることを可能とする薄膜形成方法および装置を提供すること。【解決手段】 非単結晶半導体薄膜が成膜される被処理基板を収容する反応室内に、非単結晶半導体薄膜を主として構成する原子を含まない非成膜ガスを導入する工程、前記非成膜ガスの導入に同期させて非成膜ガスに高周波またはマイクロ波を印加してプラズマを形成し、このプラズマにより非成膜ガスを分解する工程、および前記非成膜ガスの導入から所定時間後に、前記反応室内に、非単結晶半導体薄膜を主として構成する原子を含む成膜ガスを導入し、被処理基板上に非単結晶半導体薄膜を形成する工程を具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

非単結晶半導体薄膜が成膜される被処理基板を収容する反応室内に、非単結晶半導体薄膜を主として構成する原子を含まない非成膜ガスを導入する工程、前記非成膜ガスの導入に同期させて非成膜ガスに高周波またはマイクロ波を印加してプラズマを形成し、このプラズマにより非成膜ガスを分解する工程、および前記非成膜ガスの導入から所定時間後に、前記反応室内に、非単結晶半導体薄膜を主として構成する原子を含む成膜ガスを導入し、被処理基板上に非単結晶半導体薄膜を形成する工程を具備することを特徴とする非単結晶半導体薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 618 A