特許
J-GLOBAL ID：200903095084200057
薄膜の製造方法および製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-209760
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115062
出願日： 1993年08月24日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、複数の薄膜を積層するにあたり、その薄膜製造装置の小型軽量化と、薄膜の高品質化と、製造時の安全性を高める製造方法および製造装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、減圧可能に形成された成膜室10に、第1の電極20と第2の電極22を対向して設け、前記第2の電極22に基体23を装着し、前記第1の電極20に高周波電力を供給し、前記第2の電極22にも高周波電力を供給し、前記成膜室10内に反応ガスを供給して前記基体23上に薄膜形成を行なうCVD成膜法による薄膜形成と、同一の成膜室において前記第1の電極20にスパッタ成膜用のターゲット21を装着し、前記第2の電極22に基体23を装着し、前記第1の電極20に高周波電力を供給し、前記第2の電極22にも高周波電力を供給し、前記基体23上に薄膜形成を行なうスパッタ成膜法による薄膜形成とを、前記基体を酸化雰囲気に曝すことなく連続して行なうものである。
請求項（抜粋）：
減圧可能に形成された成膜室に、第1の電極と第2の電極とを対向して設け、前記第2の電極に基体を装着し、前記第1の電極に高周波電力を供給し、前記第2の電極にも高周波電力を供給し、前記成膜室内に反応ガスを供給して前記基体上に薄膜形成を行なうCVD成膜法による薄膜形成と、同一の成膜室において前記第1の電極にスパッタ成膜用のターゲットを装着し、前記第2の電極に基体を装着し、前記第1の電極に高周波電力を供給し、前記第2の電極にも高周波電力を供給し、前記基体上に薄膜形成を行なうスパッタ成膜法による薄膜形成とを、前記基体を酸化雰囲気に曝すことなく連続して行なうことを特徴とする薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
, H01L 21/31
