特許
J-GLOBAL ID：200903095091677683

導電膜パターンの形成方法及び液晶表示装置の製造方法

発明者：
美濃 美子

美濃 美子 について

, 
井上 真弓

井上 真弓 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213683
公開番号（公開出願番号）：特開2000-047237
出願日： 1998年07月29日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：
【要約】【課題】 安価で特殊な廃液処理を必要としないITO膜のエッチング方法、ひいては液晶表示装置の製造方法を提供することを主たる目的とする。【解決手段】 絶縁性基板1上にITOからなる第1の金属膜2を形成し、さらに第1の金属膜2上に選択的に絶縁性薄膜であるレジストマスク3を形成する。その後、絶縁性基板1上に、Ti等の第2の金属膜を形成する。そして、この状態で酸系のエッチング液を用いて第2の金属膜4の全面およびレジストマスク3で覆われた領域以外の第1の金属膜2を電池反応により除去する。最後にレジストマスク3を除去することにより、所望のパターンを有するITO膜を得る。
請求項（抜粋）：
選択的に絶縁性薄膜が形成された第1の金属膜上に第2の金属膜を形成した後、前記第2の金属膜をウェットエッチングする工程において、前記第1の金属膜と第2の金属膜との間に電池反応を生じさせて前記第1の金属膜をエッチング除去することにより前記絶縁性薄膜と同形状の第1の金属膜を形成することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
IPC (3件)：
G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 337 ,  H01L 21/306
FI (3件)：
G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 337 ,  H01L 21/306 F
Fターム (31件)：
2H092HA04 ,  2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092MA05 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA08 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094BA43 ,  5C094EA04 ,  5C094GB01 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD10 ,  5F043DD30 ,  5F043GG04
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開昭61-198728
  • 配線の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-041033   出願人：カシオ計算機株式会社
  • 特開昭61-198728

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