特許
J-GLOBAL ID：200903095096123031
成膜方法ならびにその装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174591
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186095
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【解決手段】 基体表面側の周辺部を冷却された部材に当接して支持し、前記基体の表面側に反応ガスを供給し、前記冷却された部材によって基体の周辺部から放出された熱量を補うために前記基体の冷却された部材が当接した領域を局部的に加熱して、前記反応ガスを反応させて前記基体表面上に反応膜を形成する。【効果】 基板の裏面やCVDリアクタ内の不要な部分に形成された膜剥がれによる異物混入による不良をなくすと共に、良好な膜厚均一性を確保した良質の反応膜を形成できる。
請求項（抜粋）：
冷却された基体抑え部材に基体の表面側の周辺部を当接して支持し、成膜に関与しないガスを前記基体の裏面側から前記基体抑え部材と基体の表面周辺部との間に形成された隙間を通して流し、前記基体の表面側に反応ガスを供給し、前記基体を加熱すると共に前記基体の前記基体抑え部材が接する領域を局部加熱して前記反応ガスにより前記基体の表面に反応膜を形成することを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
H01L 21/205
, C23C 16/44 H
, H01L 21/285 C
, H01L 21/285 301 R
