特許

J-GLOBAL ID：200903095096389805

高集積磁性体メモリ素子及びその駆動方法

発明者： 朴 祥 珍 ,  朴 玩 濬 ,  金 泰 完 ,  宋 利 憲
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-001947
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218328
出願日： 2003年01月08日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 高集積磁性体メモリ素子を提供する。【解決手段】 基板110上に配置された垂直型トランジスタ120と、垂直型トランジスタ120上に磁性体を利用したデータ貯蔵機能を有する磁性メモリ要素150と、磁性メモリ要素150を通して垂直型トランジスタ120と連結されたビットライン160と、ビットライン160の上部でこれを横切る書込み用ワードライン180と、書込み用ワードライン180及びその下部の前記構成要素の間に形成された絶縁層とを具備する磁性体メモリ素子として構成する。このようにすれば、垂直型トランジスタ120を採用することによって従来に比べて集積度が向上した磁性体メモリ素子が具現される。

請求項（抜粋）：

基板の上に配置された垂直型トランジスタと、前記垂直型トランジスタの上に配置され、磁性体を含んで構成されたデータ貯蔵機能を有する磁性メモリ要素と、前記磁性メモリ要素を通して前記垂直型トランジスタと連結されたビットラインと、前記ビットラインの上部に配置され、これを横切る書込み用ワードラインと、前記書込み用ワードラインとその下部の前記構成要素との間に形成された絶縁層と、を具備することを特徴とする高集積磁性体メモリ素子。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 116

FI (2件)：

G11C 11/15 116 ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083KA01 ,  5F083LA03 ,  5F083PR09

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第5640343号明細書(全頁)