半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：丸山敏之 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128347
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085378
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】レーザ素子の直列抵抗の増大を招くことなく、レーザ素子の接合面に平行な面上でのビームの広がり角θを拡大することが可能な半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上に、n-AlGaInPクラッド層3、AlGaInP活性層4、及びストライプ状のリッジ部10を有するp-AlGaInPクラッド層5が形成されると共に、前記リッジ部10上にはp-GaInPコンタクト層6が形成された半導体レーザであって、前記コンタクト層6のみにp形ドーパントとしてMgが用いられている。

請求項（抜粋）：

n形半導体基板(1)上に、n形クラッド層(3)、活性層(4)、及びストライプ状のリッジ部(10)を有するp形AlGaInPクラッド層(5)が形成されると共に、前記リッジ部(10)上にはp形GaInPコンタクト層(6)が形成された半導体レーザにおいて、前記コンタクト層(6)には、前記クラッド層(5)のp形ドーパントよりも拡散係数の大なるp形ドーパントが用いられていることを特徴とする半導体レーザ。

前のページに戻る