特許
J-GLOBAL ID：200903095099727949

半導体レーザ装置およびそれを用いた光集積回路

発明者：
原山 卓久

原山 卓久 について

, 
福嶋 丈浩

福嶋 丈浩 について


出願人/特許権者：
株式会社国際電気通信基礎技術研究所

株式会社国際電気通信基礎技術研究所 について


代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-041360
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220994
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】入力されたレーザ光の状態に応じて異なるレーザ光を出力できる新規な半導体レーザ装置、およびそれを用いた光集積回路を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、活性層26を含む半導体レーザ10を備える。活性層26は、互いに対向する端面26Aおよび端面26Bと、互いに対向する2つの端面とを有する。それら4つの端面は、それぞれ、仮想の菱形の第1〜第4の頂点32A〜32Dの位置に存在する。半導体レーザ10は、対角線32ABに沿って端面26Aから出射されるレーザ光(La)と、仮想の菱形の経路32に沿って伝搬するレーザ光が端面26Aから出射されたレーザ光(Lr)とを、それぞれの強度を変化させて出射することが可能である。レーザ光(La)の強度とレーザ光(Lr)の強度とは、半導体レーザ10に入射されるレーザ光35および36と上記電流とによって制御される。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
半導体レーザ(LD1)を備える半導体レーザ装置であって、 前記半導体レーザ(LD1)は、活性層(A)と、前記活性層(A)の両側に配置された2つのクラッド層(C)と、前記活性層(A)に電流を注入するための電極(E1)および電極(E2)とを備え、 前記活性層(A)は、互いに対向する端面(S1)および端面(S2)と、互いに対向する端面(S3)および端面(S4)とを有し、 前記端面(S1)〜(S4)は、それぞれ、仮想の菱形の第1〜第4の頂点の位置に存在し、 前記半導体レーザ(LD1)は、前記第1の頂点と前記第2の頂点とを結ぶ方向に沿って前記端面(S1)から出射されるレーザ光(La)と、前記仮想の菱形の経路に沿って伝搬するレーザ光が前記端面(S1)から出射されたレーザ光(Lr)とを、それぞれの強度を変化させて出射することが可能であり、 前記レーザ光(La)の強度と前記レーザ光(Lr)の強度とが、前記半導体レーザ(LD1)に入射されるレーザ光(L)と前記電流とによって制御される半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 5/10 ,  H01S 5/40
FI (2件)：
H01S5/10 ,  H01S5/40
Fターム (6件)：
5F173AA16 ,  5F173AB49 ,  5F173AB73 ,  5F173AD01 ,  5F173AF43 ,  5F173AJ06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-020755   出願人：株式会社国際電気通信基礎技術研究所
  • 特開昭64-045188

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