特許
J-GLOBAL ID：200903095102351572
置換めっき方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 浩之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221060
公開番号（公開出願番号）：特開2000-038681
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【目的】 従来の置換めっき法では得られない緻密でピンホールのないめっき層を金属基材表面に形成できる置換めっき法を提供する。【構成】 金属基材を浸漬しためっき浴に超音波照射を行いながら、前記金属基材に置換めっきを行う。超音波照射によりめっき浴全体に強力な攪拌効果が付与され、ピンホール中にめっき金属進入させてほぼ完全に閉塞して金属基材表面に万遍なく均一なめっき層を形成させる。めっき層表面に弱く密着している析出金属の結晶が前記超音波により表面から剥離し、新たにめっき層に析出して緻密な結晶の成長を促進させる。
請求項（抜粋）：
基材金属より電気化学的に貴なめっき金属を含むめっき液に金属基材を浸漬して該金属基材に前記めっき金属をめっきする置換めっき方法において、超音波を前記めっき液に照射しながら置換めっきを行うことを特徴とする置換めっき方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 18/31 Z
, C23C 18/54
4K022AA02
, 4K022AA37
, 4K022AA41
, 4K022AA43
, 4K022BA01
, 4K022BA03
, 4K022BA18
, 4K022DA03
, 4K022DB03
, 4K022DB04
, 4K022DB11
