特許

J-GLOBAL ID：200903095103373618

SOI基板

発明者： 小黒 志津夫 ,  鈴木 達也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184561
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045800
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】高いゲッタリング能力を備えたSOI基板を得る。【構成】P+ 型単結晶シリコン基板1上の多結晶シリコン膜2中に島状のシリコン酸化膜3を形成し、その多結晶シリコン膜上の全面に第2の単結晶シリコン基板4を設ける。シリコン酸化膜3上の単結晶シリコン基板4の領域を半導体デバイス形成領域とし、素子分離領域に溝を設け、この溝をシリコン酸化膜5で埋める。

請求項（抜粋）：

第1の単結晶シリコン基板上に形成された多結晶シリコン膜と、この多結晶シリコン膜中に形成された島状のシリコン酸化膜と、前記多結晶シリコン膜上の全面に形成された第2の単結晶シリコン基板とを含むことを特徴とするSOI基板。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/322

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-303599   出願人：日本電装株式会社
• 特開昭61-114572
  
• 特開昭57-143841