特許
J-GLOBAL ID:200903095104246024

常圧CVD装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-221894
公開番号(公開出願番号):特開平9-063971
出願日: 1995年08月30日
公開日(公表日): 1997年03月07日
要約:
【要約】【課題】常圧CVD装置において、ウェハ8に付着するパーティクルの低減を図りメンテナンスを容易にしかつメンテナンスによるダウンタイムを少なくし装置の稼働率を上げる。【解決手段】未反応ガスや反応生成物を排出する排気ダクト1aの排気カバー1をヒータが配設されていないインジェクタヘッド5の真下に設け、反応ガスの流れを上から下に必然的に流れるようにしている。また、メンテナンスし易いように、排気カバー1と排気ダクト1aが簡単に取付け取外しできるように継手リング2を設けている。
請求項(抜粋):
ベルトで一方向に搬送される半導体基板であるウェハに反応ガスを吹き付けるインジェクタヘッドと、このインジェクタヘッドに隣接して設けられ外気を遮断するために窒素ガスを吹付けるブロアと、搬送中のウェハを加熱するヒータと、ベルトに付着した反応生成物を除去するエッチング機構と、前記インジェクターヘッドの真下の前記ベルトを介して未反応ガスおよび反応生成物を排出する排気ダクトとを備えることを特徴とした常圧CVD装置。
IPC (3件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/31
FI (3件):
H01L 21/205 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/31 B

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