特許

J-GLOBAL ID：200903095106601344

半導体装置の製造方法

発明者： 鈴木 達也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-027481
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221034
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 一般的な拡散炉を用いて自然酸化膜を除去しながらHSGポリシリコン膜やリンドープトポリシリコン膜の形成を可能とする。【構成】 自然酸化膜が除去されたシリコン基板100を炉に入れて熱処理し、リンドープトアモルファスシリコン膜105の表面にHSGポリシリコン膜を形成する際、超高純度N2 ガスで希釈されたHClガスを導入し、リンドープアモルファスシリコン膜105表面の再自然酸化膜をシリコンと共にエッチング除去し、高清浄なシリコン面を得る。これにより、HSGポリシリコン膜107、絶縁膜108、リンドープトシリコン膜109で構成される容量電極の容量増加率を高める。或いは、コンタクトホールに埋め込むリンドープトポリシリコン膜のコンタクト抵抗を低減する。

請求項（抜粋）：

炉内に載置されたシリコン膜を高温下で処理するに際し、シリコン膜の加熱時に超高純度N2 ガスで希釈されたHClガスを炉内に導入し、前記シリコン膜の表面上の自然酸化膜を除去し、かつそのシリコン膜の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 P ,  H01L 21/302 N