特許
J-GLOBAL ID：200903095107440093
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-318370
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163911
出願日： 1992年11月27日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 ボンディングパッドなどを設けることなく、ドレイン・ソース間耐圧がツェナー電圧以上の所定電圧があるか否かを検査可能とする。【構成】 ツェナーダイオード16および検査用MOSFET17の直列回路をパワーMOSFET15のドレイン端子Dとゲート端子Gとの間に接続した状態に形成する。検査用MOSFET17のゲートを抵抗体32を介してソース端子S,ウエハ検査用パッドが形成された検査用端子Xに接続する。検査用端子Xに制御電圧Vaを印加すると、検査用MOSFET17をオフすることができ、パワーMOSFET15のドレイン端子Dに、電圧(VZ+Va+VTP)以上の高い検査電圧Vを印加できるようになる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面に形成された電力用半導体素子と、この電力用半導体素子に電気的に接続された過電圧保護用半導体素子とを備えた半導体装置において、前記半導体基板に制御入力端子に与えられる信号により前記電力用半導体素子と過電圧保護用半導体素子との電気的な導通状態を変化させるように形成された検査用半導体素子と、前記半導体基板に検査用の針電極を前記検査用半導体素子の制御入力端子に電気的に接続可能とするように形成された検査用電極と、前記半導体基板に前記検査用電極に前記針電極が接触されたときに前記検査用半導体素子の制御入力端子に信号を与えるように形成されたバイアス手段とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 29/784
, G01R 31/26
, H01L 21/66
, H01L 23/62
, H01L 27/04
, H01L 27/06
H01L 29/78 321 T
, H01L 23/56 A
, H01L 27/06 311 B
