特許

J-GLOBAL ID：200903095110760341

半導体装置

発明者： 長尾 勝
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 長谷 照一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320998
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150916
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板上に密閉空間を有する半導体装置を小型に構成するとともに、簡単に製造できるようにする。【解決手段】 シリコン基板10A上には、密閉空間の内部と外部とを電気的に接続する配線パターン16a〜16cがガラス蓋の接合部を横切って形成されるとともに、密閉空間の外部における配線パターン16a〜16cの各端部には電極パッド17a〜17cが形成される。配線パターン16a〜16c及び電極パッド17a〜17cは、シリコン基板10A上に絶縁層を介して形成された活性層を不純物拡散により低抵抗化したものである。配線パターン16a〜16c間は、シリコン基板10A上に絶縁層を介して設けた高抵抗の活性層で構成した連結帯24a〜24fで連結される。同一高さの配線パターン16a〜16c及び連結帯24a〜24fの上面にガラス蓋が陽極接合される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に少なくとも接合面をガラス材で構成した蓋を陽極接合して、同シリコン基板上に密閉空間を形成してなる半導体装置において、前記シリコン基板上に前記密閉空間の内部と外部とを電気的に接続する複数の配線パターンを前記蓋の接合部を横切って形成するとともに、前記シリコン基板上であって前記密閉空間の外部における前記複数の配線パターンの各端部に電極パッドをそれぞれ設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/84 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125 ,  H01L 21/02 ,  G01C 19/56

FI (5件)：

H01L 29/84 Z ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/125 ,  H01L 21/02 B ,  G01C 19/56

Fターム (17件)：

2F105BB13 ,  2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD13 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA31 ,  4M112CA33 ,  4M112CA36 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA08 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13 ,  4M112GA01