特許
J-GLOBAL ID：200903095115376868
プラズマCVD装置およびこれを用いた成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210664
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064024
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 ウェハを大口径化しても、カバレージの面内均一性を確保でき、埋め込み特性の面内均一性が図れるプラズマCVD装置を提供する。また、これを用いた成膜方法を提供する。【解決手段】 本発明を適用したバイアスECRプラズマCVD装置は、プラズマを発生させるプラズマ室1と、ウェハ2に対する成膜がなされる反応室3とからなり、該反応室3には、ウェハ2を載置するサセプタ8が配設され、ウェハ2の昇温、基板バイアスの印加が可能となされる。また、この反応室3の側壁面には、ガス供給口16が、ウェハ2表面と同一平面上に開口される。そして、このガス供給口9からウェハ2表面に向けて水平に原料ガスを供給することにより、ウェハ2表面近傍で原料ガス濃度を均一化することができ、ここで生成された化学種をウェハ2に対して至近距離から拡散させることができる。
請求項（抜粋）：
チャンバ内に、プラズマを生成するためのプラズマ励起手段と、基体を載置するための載置手段と、原料ガスを供給するためのガス供給手段とを有し、前記原料ガスのプラズマを用いて、前記基体上に所望の材料膜を成膜するプラズマCVD装置において、前記ガス供給手段のガス供給口が、前記基体の表面と略同一平面上に開口されていることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/316
H01L 21/31 C
, C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/316 X
