特許

J-GLOBAL ID：200903095118071790

半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法

発明者： 小林 隆二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-195239
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031596
出願日： 1998年07月10日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 レーザ特性を悪化させることなく、拡散型ウィンドウ構造を容易に作製できる製造方法を提供する。【解決手段】 端面近傍の第2導電型クラッド層4を量子井戸活性層3近傍までエッチングし、その部分に再度クラッド層と半導体構成元素が等しく、且つ第2導電型ドーパントを添加した再成長層6を形成する。そして、添加した第2導電型ドーパントを再成長層6から量子井戸活性層3へ拡散し、量子井戸活性層を混晶化することによりウィンドウ構造を作製する。

請求項（抜粋）：

第1導電型基板上に少なくとも第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層からなるダブルヘテロ構造を持った半導体レーザ素子であって、当該半導体レーザに於ける当該第2導電型クラッド層のレーザ端面近傍には、当該第2導電型クラッド層と半導体構成元素が等しく半導体層で有って、且つ少なくとも第2導電型ドーパントが添加されてなる再成長層が形成されており、更に当該半導体レーザのレーザ端面近傍に於ける当該活性層には、当該再成長層に含まれている当該第2導電型ドーパントと同一の第2導電型ドーパントが含まれている事を特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/30 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Fターム (21件)：

5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA14 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA72 ,  5F041CB03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA74 ,  5F073AA86 ,  5F073CA04 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA12 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-166590
  
• 特開平4-084482