特許
J-GLOBAL ID：200903095118113043
薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-034775
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216402
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 信頼性と特性に優れた結晶性シリコンの活性層を有する薄膜トランジスタ(TFT)および、そのようなTFTを安価に製造する方法を提供する。【解決手段】 チャネル形成領域202に隣接して、少なくとも2つの低濃度不純物領域215,216と、ソース/ドレインを有する薄膜トランジスタにおいて、ソース/ドレイン領域213,214にはアモルファスシリコンを結晶化させる触媒元素が含有されている。この触媒元素の作用により、ソース/ドレイン領域の活性化が低温度で、短時間で行うことができる。また、チャネル形成領域と低濃度不純物領域の境界において、該触媒元素の濃度はソース/ドレイン領域よりも小さくしている。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に形成された結晶性シリコン膜と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル形成領域の上方に形成されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記結晶性シリコン膜は、チャネル形成領域と、ソース領域と、ドレイン領域と、前記チャネル形成領域と前記ソース領域との間に低濃度不純物領域と、前記チャネル形成領域と前記ドレイン領域との間に低濃度不純物領域とを含み、前記ソース領域および前記ドレイン領域は、アモルファスシリコン膜の結晶化を促進する触媒元素を1×1017原子/cm3を越える濃度で含み、前記チャネル形成領域の前記触媒元素の濃度は、1×1017原子/cm3未満であり、前記ソース領域および前記ドレイン領域は、燐を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/268
H01L 29/78 616 A
, H01L 21/20
, H01L 21/268 F
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 627 G
