特許
J-GLOBAL ID：200903095124579453
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216007
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066290
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】絶縁層の平坦化工程を有する半導体装置に関し、絶縁膜を研磨する際に生じる汚染を抑制すること。【構成】絶縁性下地11の上に配線12を形成する工程と、前記配線層12の上に直接又は絶縁層13を介して液状絶縁性材料14を塗布する工程と、前記液状絶縁性材料14を第一の温度で加熱し、研磨容易な硬さまで固化して第一の絶縁膜となす工程と、前記第一の絶縁膜の表面を研磨して平坦化する工程と、前記第一絶縁膜を前記第一の温度よりも高い温度で加熱してその硬度をさらに高くする工程とを含む。
請求項（抜粋）：
絶縁性下地(11)の上に配線(12)を形成する工程と、前記配線層(12)の上に直接又は絶縁層(13)を介して液状絶縁性材料(14)を塗布する工程と、前記液状絶縁性材料(14)を第一の温度で加熱、固化して第一の絶縁膜となす工程と、前記第一の絶縁膜の表面を研磨して平坦化する工程と、前記第一絶縁膜を前記第一の温度よりも高い温度で加熱して固化をさらに促進する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
, H01L 21/316
, H01L 21/3205
H01L 21/90 P
, H01L 21/302 L
, H01L 21/88 K
