特許
J-GLOBAL ID：200903095128576963

光半導体素子

発明者：
北村 昌太郎

北村 昌太郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317394
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181376
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 活性層端部での実効的反射率を低下させることが可能な光半導体素子の提供。【構成】 基板1上にストライプ状の活性層3を形成し、この活性層3をクラッド層4、電極7等で覆い光半導体素子を形成するとともに、この活性層3の端面3bを活性層3から放出される光の方向に対して13度の角度に傾斜させて形成した。このように端面3bを傾斜させることにより活性層3から放出される光が活性層3の端面3bで反射しても再度光導波路10に結合しなくなる。従って、放出光と反射光とが干渉し合って利得が低下するのを防止することができる。
請求項（抜粋）：
ストライプ状の活性層を有する光半導体素子であって、前記光半導体素子の端部と前記活性層の端部間に窓領域が形成され、かつ前記活性層の端部の面に立てた垂線の方向と前記活性層から放出される光の方向とが異なるよう前記活性層端部の面を傾斜させることを特徴とする光半導体素子。
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM