特許
J-GLOBAL ID：200903095132631995
アクティブマトリックス液晶表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志村 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020603
公開番号（公開出願番号）：特開平6-214259
出願日： 1993年01月13日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 十分な遮光性およびパターン精度をもち、反射率の低いブラックマトリックス層を容易に製造する。【構成】 ガラス基板1の上に、トランジスタ素子20および表示電極7を形成し、基板上全面にネガ型のフォトレジスト層15を形成する。トランジスタ素子20をマスクとして、ガラス基板1の下面側からバック露光を行い、現像によりレジスト層15の非露光部分を除去した後、基板上全面に親水性樹脂層16を形成する(図(a) )。残存するレジスト層15をリフトオフすることにより親水性樹脂層16の一部分を剥離除去する(図(b) )。残存する親水性樹脂層16に対して無電解鍍金の触媒となる金属化合物を含浸させた後に無電解鍍金を行い、この親水性樹脂層を遮光性をもったブラックマトリックス層とする。
請求項（抜粋）：
平面上に複数の画素を定義した透光性の第1および第2の基板を対向して配置し、両基板間に液晶を充填し、前記第1の基板上に、各画素領域ごとに所定の色のフィルタを配置したカラーフィルタ層と、液晶の光学的特性を制御する電圧を印加するための一方の電極となる透明な共通電極と、を形成し、前記第2の基板上に、液晶の光学的特性を制御する電圧を印加するための他方の電極となる表示電極を各画素領域ごとに形成し、この各表示電極に与える電圧を制御するためのトランジスタ素子を各画素領域ごとに形成し、充填した液晶の光学的特性を各画素ごとに制御できるようにしたアクティブマトリックス液晶表示装置を製造する方法において、前記第2の基板上に、トランジスタ素子、表示電極、および配線層を形成し、基板上全面にネガ型のフォトレジスト層を形成し、前記トランジスタ素子および前記配線層をマスクとして、前記第2の基板の下面側からバック露光を行い、現像により前記レジスト層の非露光部分を除去した後、基板上全面に親水性樹脂層を形成し、残存する前記レジスト層をリフトオフすることにより前記親水性樹脂層の一部分を剥離除去し、残存する親水性樹脂層に対して無電解鍍金の触媒となる金属化合物を含浸させた後に無電解鍍金を行い、この親水性樹脂層を遮光性をもったブラックマトリックス層とすることを特徴とするアクティブマトリックス液晶表示装置の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1335
, H01L 29/784
