特許
J-GLOBAL ID：200903095133414955
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-167908
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003933
出願日： 1998年06月16日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の電極上に形成した突起電極と導電性接着剤とを介して行うフリップチップ実装構成の半導体装置を、突起電極の直下の回路形成用素子に加わるダメージを少なくして、必要機能を失うことなく、極めて品質高く、かつ経済性良く製造する方法を提供する。【解決手段】 突起電極を、熱エネルギーまたは超音波エネルギーを活用して、あるいは電気めっき析出技術を活用して形成する。これにより、突起電極の直下の回路形成用素子に加わるダメージを少なくする。
請求項（抜粋）：
導電性を有する金属材料からなる突起電極を、半導体素子内の回路形成用素子の上部の電極上に選択的に形成する工程と、前記突起電極を有する前記半導体素子をフェースダウン方式にて、半導体素子の前記突起電極と回路基板上の端子電極とを導電性接着剤を介して電気的に接続する工程とを含む半導体装置の製造方法において、前記突起電極を形成する工程が、熱エネルギーまたは超音波エネルギーを活用して突起電極を付着する工程と、前記付着した突起電極の先端部を平坦性を有する平板に押し当てて、熱エネルギーまたは超音波エネルギーまたはこれらを併用して前記突起電極を軟化させ、変形させて高さを一様とする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (3件)：
4M105AA01
, 4M105BB07
, 4M105FF04
